MSD109V
Описание:
Модуль MSD109V – однобитный 20-децибельный GaAs p-i-n-диодный аттенюатор с вносимыми потерями 1,1 дБ и TTL-управлением
Исполнение:
Модуль СВЧ бескорпусной (кристалл)
Основные особенности:
- Полоса рабочих частот: от 5,0 до 10,0 ГГц
- Начальные потери: LНАЧ ≤ 1,1 дБ
- Вносимое ослабление: LАТТ = 20,0 дБ
- Входная мощность: Р-1дБ= 20 дБм
- Уровень сигналов ТТЛ: UУПР = 0/3,3 В
- Размеры кристалла: 1,0 х 1.0 х 0.1 мм3
Основные электрические характеристики (Т=25°С)
|
Наименование параметра |
Обозначение |
Единицы измерения |
Значение |
|
|---|---|---|---|---|
|
Не менее |
Не более |
|||
|
Диапазон рабочих частот |
Δf |
ГГц |
5 |
10 |
|
Начальные потери |
LНАЧ |
дБ |
– |
1,1 |
|
Вносимое ослабление |
LАТТ |
дБ |
– |
20,0 |
|
Входная мощность Р-1дБ |
Р-1 |
дБм |
20 |
– |
|
КСВН вход / выход |
КСВН |
– |
– |
1,8 / 1,8 |
|
Ошибка вносимого ослабления |
LАТТ |
дБ |
минус 0,8 |
0,8 |
|
Паразитная амплитудно-фазовая конверсия |
Δϕ |
град |
минус 20 |
20 |
