Главная Производство НИОКР Публикации Новости Контакты English version
___
АО "Микроволновые системы"
Разработка и производство твердотельных модулей СВЧ
   
Публикации

Публикации

Страница 1 из 2    1 2 >
Экстракция параметров модели GaN HEMT для расчета параметров СВЧ ИС, функционирующих в непрерывном режиме, с учетом эффектов саморазогрева
1 Июня 2024 Экстракция параметров модели GaN HEMT для расчета параметров СВЧ ИС, функционирующих в непрерывном режиме, с учетом эффектов саморазогрева
И.О. Метелкин, С.В. Миннебаев, Д.А. Шишкин

Приведена методика экстракции параметров  эквивалентной схемы GaN HEMT на основе нелинейной модели ASM-HEMT для расчета параметров СВЧ ИС, функционирующих в непрерывном режиме

МИС векторного модулятора Ku-диапазона: особенности схемотехнической и топологической реализации
1 Июня 2024 МИС векторного модулятора Ku-диапазона: особенности схемотехнической и топологической реализации
А.В. Кондратенко, П.С. Сорвачев, А.С. Щербаков

В докладе представлены некоторые особенности схемотехнической и топологической реализации монолитной интегральной схемы управления амплитудой и фазой сигнала Ku- диапазона частот и результаты измерения электрических параметров опытных образцов

Реализация радиотракта ППМ Ku-диапазона на основе комплекта многофункциональных МИС
1 Июня 2024 Реализация радиотракта ППМ Ku-диапазона на основе комплекта многофункциональных МИС
А.В. Бутерин, А.В. Иванов, А.С. Щербаков, А.В. Кондратенко, Д.А. Шишкин, П.С. Сорвачев

В докладе представлены результаты разработки комплекта монолитных интегральных схем: векторного модулятора (в иностранной терминологии – Core Chip), реализованного на основе технологического процесса 0,15 мкм GaAs pHEMT, и оконечного устройства (в иностранной терминологии – Front-End Module)

Экстракция параметров GaN HEMT для построения модели ASM-HEMT с использованием стимулятора Ngspice
4 Декабря 2023 Экстракция параметров GaN HEMT для построения модели ASM-HEMT с использованием стимулятора Ngspice
И.О. Метелкин, С.В. Миннебаев

Доклад о разработке программного обеспечения для восстановления параметров SPICE-моделей с использованием симулятора электрических схем Ngspice.

Универсальный приемо-передающий канал Х-диапазона на основе СВЧ МИС собственной разработки
4 Декабря 2023 Универсальный приемо-передающий канал Х-диапазона на основе СВЧ МИС собственной разработки
Кищинский А. А., Кондратенко А. В., Бутерин А. В., Иванов А. В., Шишкин Д. А., Сорвачев П. С., Щербаков А. С., Миннебаев В. М., Миннебаев С. В., Редька Ал. В.

Представлены результаты  разработки и испытаний универсального ППК Х-диапазона на основе СВЧ МИС разработки АО «Микроволновые системы».

Опыт разработки и производства МИС СВЧ в АО «Микроволновые системы»
1 Декабря 2023 Опыт разработки и производства МИС СВЧ в АО «Микроволновые системы»
А.А. Кищинский, А.В. Кондратенко, Д.А. Шишкин, П.С. Сорвачев, В.М. Миннебаев, С.В. Миннебаев

В докладе представлены примеры из практики АО «Микроволновые системы» в части разработки и производства монолитных интегральных схем СВЧ на основе GaAs и GaN.

 

СВЧ-компоненты на основе технологии нитрида галлия: что изменилось за два года
8 Февраля 2023 СВЧ-компоненты на основе технологии нитрида галлия: что изменилось за два года
А. Кищинский, В. Миннебаев. АО «Микроволновые системы»

По итогам семинара-совещания GaN-2022 опубликована статья в журнале Электроника НТБ

Мы стремимся разрабатывать компоненты, которые позволят потребителю создать лучшее изделие
24 Октября 2022 Мы стремимся разрабатывать компоненты, которые позволят потребителю создать лучшее изделие

Рассказывает заместитель генерального директора по развитию электронной компонентной базы АО «Микроволновые системы» В. М. Миннебаев
Опубликовано в журнале «Электроника. НТБ», 2022г., № 6

GaAs МИС дискретных широкополосных фазостабильных аттенюаторов: примеры из практики АО «Микроволновые системы»
24 Октября 2022 GaAs МИС дискретных широкополосных фазостабильных аттенюаторов: примеры из практики АО «Микроволновые системы»
П.С. Сорвачев, А.В. Кондратенко. Обособленное подразделение АО «Микроволновые системы» в г. Нижний Новгород.

Обособленное подразделение АО «Микроволновые системы» в г. Нижний Новгород.
Опубликовано в Сборнике статей XI Всероссийской научно-технической конференции «Электроника и микроэлектроника СВЧ», Санкт-Петербург, СПбГЭТУ «ЛЭТИ»,
30 мая – 3 июня 2022г.

Балансный GAN-HEMT усилитель с выходной мощностью 35 Вт в диапазоне частот 1-6 ГГц с инновационными квадратурными мостами
15 Августа 2022 Балансный GAN-HEMT усилитель с выходной мощностью 35 Вт в диапазоне частот 1-6 ГГц с инновационными квадратурными мостами
А.В. Радченко, С.В. Гармаш, А.А. Кищинский

Данная статья написана по материалам доклада (A.Radchenko, S.Garmash, A.Kishchinsky. 1-6 GHz 35W Balanced GaN-HEMT Power Amplifier with Innovative Quadrature Couplers. Proceedings of the 16th European Microwave Integrated Circuits Conference, 2021, Р.265-268), опубликованном в сборнике материалов конференции.

Сборка СВЧ-модулей: SMD-монтаж и микроэлектронные технологии на одной площадке. Визит на сборочное производство АО «Микроволновые системы»
30 Января 2022 Сборка СВЧ-модулей: SMD-монтаж и микроэлектронные технологии на одной площадке. Визит на сборочное производство АО «Микроволновые системы»
В. Миронюк. Электроника НТБ. Выпуск #10/2021

Компания «Микроволновые системы» была организована в 2004 году. В настоящее время предприятие проектирует, собирает и настраивает современные СВЧ-модули. Продолжая заниматься традиционной для себя тематикой – ​широкополосными СВЧ-усилителями мощности и малошумящими усилителями – ​компания расширяет спектр своей деятельности.

Усилитель СВЧ мощности диапазона 1—6 ГГц с выходной мощностью 30 Вт на основе GaN транзисторных балансных схем
1 Ноября 2021 Усилитель СВЧ мощности диапазона 1—6 ГГц с выходной мощностью 30 Вт на основе GaN транзисторных балансных схем
Радченко А. В., Гармаш С. В.

В докладе приведена конструкция и представлены характеристики усилителя СВЧ мощности диапазона 1 – 6 ГГц на основе нитрид-галлиевых балансных схем с выходной мощностью более 30 Вт и КПД от 23 до 35% с однополярным питанием 27 В.

Малошумящий усилитель Х-диапазона с выходной мощностью более 500 мВт
30 Сентября 2021 Малошумящий усилитель Х-диапазона с выходной мощностью более 500 мВт
Андреев А.С., Кищинский А.А, Радченко А. В.

В докладе приведена конструкция и представлены характеристики малошумящего усилителя мощности в диапазоне частот 8-11 ГГц с коэффициентом шума не более 2 дБ и выходной мощностью более 500 мВт.

СВЧ-компоненты на основе технологии нитрида галлия: взгляд изнутри
23 Марта 2021 СВЧ-компоненты на основе технологии нитрида галлия: взгляд изнутри
А.Кищинский. АО "Микроволновые системы"

Итоги семинара-совещания на тему «Актуальные вопросы разработки и применения СВЧ-компонентов и приборов на основе технологии нитрида галлия», который прошел 12-13 ноября 2020 г.

 

Мы видим, что можем разговаривать с зарубежными компаниями на равных
20 Декабря 2019 Мы видим, что можем разговаривать с зарубежными компаниями на равных
Электроника НТБ. Выпуск #9/2019

Компания «Микроволновые системы» отмечает в этом году юбилей – 15 лет. О том, как создавалась компания, каких успехов достигла за прошедшие годы, а также о современных мировых тенденциях в области СВЧ и возможностях российских компаний в создании передовых решений, конкурентоспособных на глобальном рынке СВЧ-устройств, читайте в интервью с одним из основателей компании, заместителем генерального директора, главным конструктором АО «Микроволновые системы» Андреем Александровичем Кищинским.

30 Сентября 2019 О результатах разработки СВЧ усилителей S- и C-диапазонов с выходной непрерывной мощностью 150-200 Вт.
Гармаш С.В., Городецкий А.Ю., Захарова О.А., Кищинский А.А.

Представлены результаты разработки и исследования параметров образцов усилителей мощности с выходной непрерывной мощностью 150-200 Вт в диапазонах частот 3,4–3,9 и 7,3–7,6 ГГц, построенных по схеме суммирования мощностей 8-ми гибридно-интегральных модулей с нитрид-галлиевыми транзисторами.

26 Декабря 2018 Монолитные интегральные усилители С-Х-Ku диапазона с выходной мощностью 1,5 Вт
Гармаш С.В., Кищинский А.А., Маркелова Т.А., Радченко А.В. Статья опубликована в журнале «СВЧ Электроника» №1 2019 г.

В статье представлены результаты разработки и практической реализации широкополосных монолитных интегральных СВЧ усилителей диапазон  частот 5 – 18 ГГц с выходной мощностью 1,5 Вт и 0,9 Вт

 

25 Декабря 2018 Усилитель СВЧ мощности диапазона 5 – 18 ГГц с выходной мощностью более 10 Вт
Радченко А.В.

В докладе описана конструкция и приведены характеристики сверхширокополосного твердотельного усилителя СВЧ мощности на основе со- временных монолитных интегральных схем, обеспечивающего в рабочем диапазоне частот от 5 до 18 ГГц выходную мощность более 12 – 16 Вт и КПД от 14 до 20%

20 Декабря 2017 Cовременные твердотельные СВЧ-модули. Новые разработки компании "Микроволновые системы"
С.Гармаш, А.Кищинский, Е.Маркинов, А.Радченко, Д.Суханов. АО "Микроволновые системы""
Рассмотрены успехи компании ''Микроволновые системы'' в разработке широкого спектра СВЧ-изделий, в том числе широкополосных твердотельных СВЧ-усилителей с привлекательным соотношением цена/качество, по своим параметрам не уступающих мировым...
29 Июня 2017 Широкополосный усилитель мощности S- диапазона с выходной мощностью 300 Вт в непрерывном режиме
Кищинский А.А., Суханов Д.А.

В представляемой работе обобщаются результаты разработки и исследования параметров экспериментального образца усилителя мощности S-диапазона с октавной полосой частот и выходной мощностью 300-400 Вт в режиме усиления непрерывных колебаний.

Страница 1 из 2    1 2 >