СВЧ-компоненты на основе технологии нитрида галлия: взгляд изнутри
12–13 ноября в Москве состоялся семинар-совещание специалистов российской радиоэлектронной промышленности на тему «Актуальные вопросы разработки и применения СВЧ-компонентов и приборов на основе технологии нитрида галлия (GaN-2020)». Мероприятие было организовано АО «Микроволновые системы» (Москва). Целью мероприятия, которое планируется проводить на регулярной основе, стал обмен опытом и налаживание прямого взаимодействия между руководителями, учеными, специалистами промышленности, представителями вузовской и академической науки в решении задачи становления в России промышленных технологий производства нитрид- галлиевых СВЧ-компонентов (транзисторов и интегральных схем), повышения качества и технического уровня разрабатываемых на основе этих компонентов приборов и радиотехнических систем.
Научно-техническая программа семинара-совещания охватывала широкий круг вопросов – от создания гетероэпитаксиальных структур и разработки соответствующих технологий и оборудования до особенностей проектирования и аппаратуры на основе нитрид-галлиевых компонентов. В некоторой степени данное мероприятие явилось развитием проводившейся в период с 1997 по 2017 годы всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы», многие докладчики и участники GaN-2020 были участниками или организаторами тех конференций.В течение двух дней на семи заседаниях, проходивших в пленарном режиме в конгресс-центре гостиничного комплекса «Измайлово», были заслушаны и обсуждены 42 доклада специалистов, представлявших 38 российских и шесть зарубежных предприятий и организаций, в число которых входили предприятия промышленности, научные учреждения академической и вузовской науки, дизайн-центры, коммерческие предприятия. Первое заседание GaN-2020 было посвящено созданию отечественных технологий и оборудования для выращивания гетероэпитаксиальных структур нитрида галлия, а также другого оборудования для производства GaN-транзисторов и интегральных схем.
