Главная Производство НИОКР Публикации Новости Контакты English version
___
АО "Микроволновые системы"
Разработка и производство твердотельных модулей СВЧ
   
GaN HEMT транзисторы

GaN HEMT транзисторы

Наименование
Аналог
ΔF, ГГц
P3дБ, Вт
Ку, дБ
Uси, В
Iси.нач
Iси.пок, А
Примечание
МС1К
Новинка
TGF2023-01, CGHV1J006D, D2J015DB2, JD18W303 0 – 18 4* 9,0* 28 0.75 - производство
МС1К5
Новинка
TGF2023-2-01, CGHV1J006D, BCG008D, D2J015DB2, JD18W303 0 – 18 6* 9,0* 28 1.1 - производство
МС2К
Новинка
TGF2023-02 0 – 18 8* 8,0* 28 1.5 - производство
МС2К25
Новинка
TGF2023-02, TGF2023-2-02, CGH60008D, UJ013-015B2, GD18W303 0 – 18 9* 9,0* 28 1.7 - производство
МС2К7
Новинка
TGF2023-02, TGF2023-2-02 0 – 18 11* 11,0* 28 2.0 - производство
МС3К TGF2023-02, TGF2023-2-02, UJ013-015B2 0 – 14 12** 9,0** 28,0 2,4 0,125 производство
МС4К2 CGH60015D, GD21W328 0 – 14 15** 8,0** 28,0 3,5 0,3 производство
МС8К4 TGF2023-2-05, CGH60030D, CHK9014-99F, CG2H80030D, D2J055DA2 0 – 14 25** 8,0** 28,0 6.7 0,4 производство
* Fизм = 18 ГГц; ** Fизм = 14 ГГц