Публикации
Зимин Р.А., Кищинский А.А., Суханов Д.А.
В статье обобщаются результаты разработки и исследования параметров универсального широкополосного усилительного модуля диапазона 2-4 ГГц с выходной мощностью 35-50Вт в режиме усиления непрерывных колебаний при коэффициенте усиления 45 дБ. Применение нитрид-галлиевых (GaN) транзисторов позволило одновременно в 1,5-2 раза улучшить все основные параметры усилителя (габариты, массу, КПД, выходную мощность) по сравнению с выпускавшимся ранее аналогичным прибором на арсенид-галлиевых (GaAs) транзисторах.
Маркинов Е.Г., Радченко А.В.
Рассматриваются конструкции разработанных металлокерамических микрокорпусов, возможных изделий, изготовленных на их основе. Показана конструкция сверхширокополосного интегрального усилителя мощности в корпусе поверхностного монтажа, а также рассмотрена конструкция контактного устройства для измерения электрических параметров модулей в корпусах поверхностного монтажа.
Кищинский А.А., Поляков Г.Б., Радченко А.В.
Рассматривается конструкция модуля широкополосного дискретного фазовращателя С-диапазона с перекрытием по частоте 2:1, обеспечиваю щего возможность управления фазой сигнала от 0 до 354 градусов с шагом 6 градусов и минимальной паразитной амплитудной модуляцией. Показана структурная схема и конструкция модуля, рассмотрен принцип работы и калибровки фазовых состояний
Радченко А.В., Радченко В.В.
Разработан ряд мощных полосовых фильтров на основе двух встречно направленных гребенок прямоугольных резонаторов с лицевой связью, размещенных в запредельном волноводе, и предназначенных для установки в симметричную полосковую линию. Приведены результаты расчетов и измерений параметров изготовленных фильтров 4-х поддиапазонов частот в L- и S- диапазонах. Фильтры обеспечивают полосу пропускания полезного сигнала ½ октавы с потерями не хуже 0,8 дБ, подавление 2 и 3 гармоники сигнала не менее 60 дБ и способные пропускать непрерывную мощность не менее 200 Вт
Гармаш С.В.
В докладе изложены результаты разработки усилителя мощности диапазона частот 4 - 12 ГГц с выходной мощностью в непрерывном режиме 13 - 18 Вт. Приведены экспериментальные характеристики образцов усилителей, обсуждаются особенности построения, конструкции и технологии сборки.
Гармаш С.В., Кищинский А.А., Маркинов Е.Г. Доклад опубликован в материалах 19 Крымской конференции "СВЧ техника и телекоммуникационные технологии", Севастополь, Вебер, 2009 г.
В докладе изложены результаты разработки и экспериментального исследования усилителя мощности диапазона частот 4-8 ГГц с выходной мощностью в линейном режиме более 8 Вт. Приведены экспериментальные характеристики усилителя, особенности построения, конструкции и технологии сборки.
Гармаш С.В., Кищинский А.А., Радченко А.В. Доклад опубликован в материалах 19 Крымской конференции "СВЧ техника и телекоммуникационные технологии", Севастополь, Вебер, 2009 г.
В докладе изложены результаты разработки и экспериментального исследования квазимонолитного транзисторного усилителя диапазона 8-18 ГГц с выходной мощностью в линейном режиме более 2 Вт. Приведены экспериментальные характеристики изготовленных образцов усилителей, рассматриваются особенности их построения, конструкция и технология сборки.
Баранов В.В., Зимин Р.А., Кищинский А.А., Матвеев А.Д., Суханов Д.А.
В докладе изложены результаты разработки и экспериментального исследования широкополосных усилителей дециметрового (0.5-2.5 ГГц) диапазона с выходными мощностями в непрерывном режиме от 20 до 200 Вт, выполненных на основе карбид-кремниевых полевых транзисторов.
Бочкарев Д.В., Никитин Д.В, Кищинский А.А., Радченко А.В. Доклад опубликован в материалах 19 Крымской конференции "СВЧ техника и телекоммуникационные технологии", Севастополь, Вебер, 2009 г.
В докладе изложены результаты экспериментального исследования параметров усилительных модулей, построенных по схеме двух- и четырехканального суммирования мощностей серийно-выпускаемых широкополосных транзисторных усилителей диапазона 2-4 ГГц, реализованы макеты модулей с октавной полосой и выходной непрерывной мощностью 50 и 100 Вт.
Кищинский А.А. Доклад опубликован в материалах 16 Крымской конференции "СВЧ техника и телекоммуникационные технологии", Севастополь, Вебер, 2006 г., стр. 171, 172.
В докладе изложены результаты разработки и экспериментального исследования параметров гибридно-интегральных усилительных каскадов на основе новых карбид-кремниевых (SiC) транзисторов CRF24010. Реализованы малогабаритные усилительные элементы в диапазоне 0.8-2.5 ГГц с усилением 9–10 дБ и выходной мощностью 10 и 20 Вт.
С.М. Доровских. Статья опубликована в журнале "Компоненты и технологии", 2006 г., №7, стр. 66-67
Технология сборки гибридно-интегральных схем (ГИС) СВЧ в опытном и мелкосерийном производстве представляет собой традиционно устоявшуюся последовательность операций монтажа. Развитие электроники по пути снижения себестоимости изделий и повышения производительности труда приводит к тому, что необходимо по-новому взглянуть на процесс изготовления приборов.
Кищинский А.А. Доклад опубликован в материалах 14-й Крымской конференции "СВЧ техника и телекоммуникационные технологии", Севастополь, Вебер, 2004 г., стр. 7-11.
В докладе рассмотрен мировой технический уровень и тенденции развития направления транзисторных усилителей мощности СВЧ и миллиметрового диапазона, транзисторов и монолитных интегральных схем повышенной мощности.
Гармаш С.В., Кищинский А.А.
Проведен анализ эффективности суммирования мощности схемами широкополосного суммирования, построенными на основе различных типов планарных сумматоров. Описаны конструкции и сравниваются характеристики трех типов выходных каскадов, построенных по различным схемам суммирования в диапазоне 4-8 ГГц. Приведены конструкция и характеристики усилителя мощности в диапазоне 4-8 ГГц, использующего делители-сумматоры бегущей волны и имеющего выходную мощность насыщения 3.9-4.5 Вт и усиление 36-38 дБ.
